Hersteller Produktnummer:
SISH116DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SISH116DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 10.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventar:
6000 Stück Neu Original Auf Lager
12916671
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SISH116DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8SH
Basis-Produktnummer
SISH116
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SISH116DN-T1-GE3TR-DG
SISH116DN-T1-GE3CT
742-SISH116DN-T1-GE3DKR
SISH116DN-T1-GE3TR
742-SISH116DN-T1-GE3TR
SISH116DN-T1-GE3DKR-DG
742-SISH116DN-T1-GE3CT
SISH116DN-T1-GE3DKR
SISH116DN-T1-GE3CT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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