SIHD2N80AE-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHD2N80AE-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHD2N80AE-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

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SIHD2N80AE-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.9Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
180 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD2

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIHD2N80AE-GE3
HTML-Datenblatt
SIHD2N80AE-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2266-SIHD2N80AE-GE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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