Hersteller Produktnummer:
SIS902DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIS902DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventar:
12787271
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Menge
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SIS902DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
186mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
175pF @ 38V
Leistung - Max
15.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8 Dual
Basis-Produktnummer
SIS902
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIS902DN-T1-GE3DKR
SIS902DN-T1-GE3CT
SIS902DN-T1-GE3TR
SIS902DNT1GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIS990DN-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
13827
TEILNUMMER
SIS990DN-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.31
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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