Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SIS780DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIS780DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
1 Stück Neu Original Auf Lager
12787447
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIS780DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
722 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
27.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SIS780
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIS780DN-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIS780DN-T1-GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIS780DN-T1-GE3-DG
SIS780DN-T1-GE3CT
SIS780DN-T1-GE3DKR
SIS780DN-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RQ1E070RPTR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
7064
TEILNUMMER
RQ1E070RPTR-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E120BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2880
TEILNUMMER
RQ3E120BNTB-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E100ATTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
8342
TEILNUMMER
RQ3E100ATTB-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ1E075XNTCR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
26907
TEILNUMMER
RQ1E075XNTCR-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E100BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
95904
TEILNUMMER
RQ3E100BNTB-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI7386DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
SUP60N10-16L-E3
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
SUP60020E-GE3
MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
SIR403EDP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8