RQ3E100BNTB
Hersteller Produktnummer:

RQ3E100BNTB

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RQ3E100BNTB-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventar:

95904 Stück Neu Original Auf Lager
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RQ3E100BNTB Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
RQ3E100

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RQ3E100BN HSMT8 TB Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RQ3E100BNTBDKR
RQ3E100BNTBCT
RQ3E100BNTBTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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