SIS472ADN-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIS472ADN-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIS472ADN-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventar:

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SIS472ADN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1515 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SIS472

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIS472ADN-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIS472ADN-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RQ1E070RPTR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
7064
TEILNUMMER
RQ1E070RPTR-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E120GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
11286
TEILNUMMER
RQ3E120GNTB-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ1E075XNTCR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
26907
TEILNUMMER
RQ1E075XNTCR-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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