Hersteller Produktnummer:
SIS407ADN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIS407ADN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12786920
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SIS407ADN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
168 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5875 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SIS407
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIS407ADN-T1-GE3DKR
SIS407ADN-T1-GE3CT
SIS407ADN-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RF6E045AJTCR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
5448
TEILNUMMER
RF6E045AJTCR-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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