Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SIR640ADP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR640ADP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 41.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12786923
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIR640ADP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
41.6A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4240 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR640
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIR640ADP-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIR640ADP-T1-GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR640ADP-T1-GE3TR
SIR640ADP-T1-GE3CT
SIR640ADP-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS3L045GNGZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1173
TEILNUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3G100GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
112698
TEILNUMMER
RQ3G100GNTB-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
BSC022N04LSATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
18064
TEILNUMMER
BSC022N04LSATMA1-DG
Einheitspreis
0.52
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1G150MNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RS1G150MNTB-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E180GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
4770
TEILNUMMER
RQ3E180GNTB-DG
Einheitspreis
0.21
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SUP60N06-12P-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
SUP90P06-09L-E3
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
SUM90N08-4M8P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
SQD40030E_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA