Hersteller Produktnummer:
SIRA18DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIRA18DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
111 Stück Neu Original Auf Lager
12786491
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIRA18DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIRA18
Datenblatt & Dokumente
Produkt-Zeichnungen
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIRA18DPT1GE3
SIRA18DP-T1-GE3TR
SIRA18DP-T1-GE3DKR
2266-SIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS3E095BNGZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2500
TEILNUMMER
RS3E095BNGZETB-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RXH070N03TB1
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2498
TEILNUMMER
RXH070N03TB1-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1E130GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1178
TEILNUMMER
RS1E130GNTB-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1E150GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2280
TEILNUMMER
RS1E150GNTB-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQJA02EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SIR496DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
SIHP24N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
