Hersteller Produktnummer:
SIR496DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR496DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12786505
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Menge
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SIR496DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1570 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR496
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR496DP-T1-GE3CT
Q6936817FH
SIR496DP-T1-GE3TR
SIR496DPT1GE3
SIR496DP-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC046N02KSGAUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
19920
TEILNUMMER
BSC046N02KSGAUMA1-DG
Einheitspreis
0.55
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SIR410DP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
7636
TEILNUMMER
SIR410DP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.37
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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