Hersteller Produktnummer:
SIR871DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR871DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 48A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12915794
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIR871DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3395 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR871
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR871DP-T1-GE3-DG
SIR871DP-T1-GE3TR
SIR871DP-T1-GE3DKR
SIR871DP-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS3L045GNGZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1173
TEILNUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3L050GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
14048
TEILNUMMER
RQ3L050GNTB-DG
Einheitspreis
0.24
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1L145GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1003
TEILNUMMER
RS1L145GNTB-DG
Einheitspreis
0.81
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQ3418AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
SI3447BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
SI7664DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
