SI1013X-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI1013X-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI1013X-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

Inventar:

20598 Stück Neu Original Auf Lager
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SI1013X-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-89-3
Paket / Koffer
SC-89, SOT-490
Basis-Produktnummer
SI1013

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI1013X-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SI1013X-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI1013X-T1-GE3TR
SI1013X-T1-GE3DKR
SI1013XT1GE3
SI1013X-T1-GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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