SIR870ADP-T1-RE3
Hersteller Produktnummer:

SIR870ADP-T1-RE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIR870ADP-T1-RE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

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12918504
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SIR870ADP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2866 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR870

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIR870ADP-T1-RE3
HTML-Datenblatt
SIR870ADP-T1-RE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR870ADP-T1-RE3TR
SIR870ADP-T1-RE3-DG
SIR870ADP-T1-RE3CT
SIR870ADP-T1-RE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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