SI3879DV-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SI3879DV-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI3879DV-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

12918512
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SI3879DV-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
LITTLE FOOT®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
480 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
SI3879

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FDC634P
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5000
TEILNUMMER
FDC634P-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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