Hersteller Produktnummer:
SIR826LDP-T1-RE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR826LDP-T1-RE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 21.3A (Ta), 86A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
1818 Stück Neu Original Auf Lager
12945159
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SIR826LDP-T1-RE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21.3A (Ta), 86A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3840 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR826
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIR826LDP-T1-RE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS3L045GNGZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1173
TEILNUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
Einheitspreis
0.25
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