Hersteller Produktnummer:
RS6N120BHTB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RS6N120BHTB1-DG
Beschreibung:
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
1763 Stück Neu Original Auf Lager
13000712
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RS6N120BHTB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 60A, 6V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3420 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSOP
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
RS6N120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-RS6N120BHTB1TR
846-RS6N120BHTB1CT
846-RS6N120BHTB1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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