Hersteller Produktnummer:
SIR662DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR662DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12920197
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SIR662DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4365 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR662
Datenblatt & Dokumente
Produkt-Zeichnungen
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR662DPDKR
SIR662DPDKR-DG
SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPT1GE3
SIR662DPCT
SIR662DP
SIR662DPTR
SIR662DP-T1-GE3DKR
SIR662DP-T1-GE3TR
SIR662DPTR-DG
SIR662DPCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS3L045GNGZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1173
TEILNUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
TPH7R006PL,L1Q
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
54092
TEILNUMMER
TPH7R006PL,L1Q-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1L145GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1003
TEILNUMMER
RS1L145GNTB-DG
Einheitspreis
0.81
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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