SI5449DC-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SI5449DC-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI5449DC-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Inventar:

12920202
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SI5449DC-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
SI5449

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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