SQD40030E_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQD40030E_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQD40030E_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

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12786933
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SQD40030E_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SQD40030

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SQD40030E_GE3
HTML-Datenblatt
SQD40030E_GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SQD40030E_GE3-DG
SQD40030E_GE3CT
SQD40030E_GE3DKR
SQD40030E_GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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