Hersteller Produktnummer:
SIR626DP-T1-RE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR626DP-T1-RE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
2365 Stück Neu Original Auf Lager
12920028
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SIR626DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 7.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5130 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR626
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIR626DP-T1-RE3DKR
SIR626DP-T1-RE3TR
SIR626DP-T1-RE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS3L045GNGZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1173
TEILNUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMTH6002LPS-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
14787
TEILNUMMER
DMTH6002LPS-13-DG
Einheitspreis
0.66
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1L145GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1003
TEILNUMMER
RS1L145GNTB-DG
Einheitspreis
0.81
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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