Hersteller Produktnummer:
DMTH6002LPS-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMTH6002LPS-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Inventar:
14787 Stück Neu Original Auf Lager
12899709
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DMTH6002LPS-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6555 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
167W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type K)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMTH6002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMTH6002LPS-13DIDKR
DMTH6002LPS-13-DG
DMTH6002LPS-13DITR
DMTH6002LPS-13DICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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