Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SIRA50DP-T1-RE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIRA50DP-T1-RE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 62.5A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12786515
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIRA50DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
62.5A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
194 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8445 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIRA50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIRA50DP-T1-RE3
HTML-Datenblatt
SIRA50DP-T1-RE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIRA50DP-T1-RE3TR
SIRA50DP-T1-RE3DKR
SIRA50DP-T1-RE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS3L045GNGZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1173
TEILNUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3G100GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
112698
TEILNUMMER
RQ3G100GNTB-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1G150MNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RS1G150MNTB-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1G260MNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2296
TEILNUMMER
RS1G260MNTB-DG
Einheitspreis
0.77
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQM25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO263
SIR422DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
SIJ438DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
SQ3426EEV-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP