Hersteller Produktnummer:
SIJH112E-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIJH112E-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventar:
1510 Stück Neu Original Auf Lager
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SIJH112E-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Ta), 225A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8050 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
SIJH112
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
742-SIJH112E-T1-GE3DKR
742-SIJH112E-T1-GE3TR
742-SIJH112E-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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