Hersteller Produktnummer:
STB12NM50FDT4
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB12NM50FDT4-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12948743
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STB12NM50FDT4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
FDmesh™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB12N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-5380-6
STB12NM50FDT4-DG
497-5380-2
497-5380-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFS11N50APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
417
TEILNUMMER
IRFS11N50APBF-DG
Einheitspreis
1.22
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