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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SIHP21N65EF-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHP21N65EF-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12787533
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EINREICHEN
SIHP21N65EF-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2322 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SIHP21
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIHP21N65EF-GE3
HTML-Datenblatt
SIHP21N65EF-GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP25N60M2-EP
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1008
TEILNUMMER
STP25N60M2-EP-DG
Einheitspreis
1.19
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
TK17E65W,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
12
TEILNUMMER
TK17E65W,S1X-DG
Einheitspreis
1.35
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STP31N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1095
TEILNUMMER
STP31N65M5-DG
Einheitspreis
1.77
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STP20N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
945
TEILNUMMER
STP20N65M5-DG
Einheitspreis
1.36
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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