Hersteller Produktnummer:
SIHG33N65EF-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHG33N65EF-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 31.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12918066
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Menge
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SIHG33N65EF-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
109mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
171 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4026 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
313W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SIHG33
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPW35N60C3FKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
198
TEILNUMMER
SPW35N60C3FKSA1-DG
Einheitspreis
5.72
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPW60R099CPAFKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
196
TEILNUMMER
IPW60R099CPAFKSA1-DG
Einheitspreis
4.16
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FCH104N60F
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
450
TEILNUMMER
FCH104N60F-DG
Einheitspreis
3.30
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXFR64N60Q3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
30
TEILNUMMER
IXFR64N60Q3-DG
Einheitspreis
28.02
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTH34N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
285
TEILNUMMER
IXTH34N65X2-DG
Einheitspreis
3.46
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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