Hersteller Produktnummer:
SIHG24N80AE-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHG24N80AE-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12982725
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SIHG24N80AE-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1836 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SIHG24
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
742-SIHG24N80AE-GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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