FQB25N33TM-F085
Hersteller Produktnummer:

FQB25N33TM-F085

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FQB25N33TM-F085-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 330 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

8000 Stück Neu Original Auf Lager
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FQB25N33TM-F085 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
330 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2010 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
159
Andere Namen
2156-FQB25N33TM-F085
ONSFSCFQB25N33TM-F085

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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