Hersteller Produktnummer:
SIHFU310-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHFU310-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 400V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 400 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventar:
2828 Stück Neu Original Auf Lager
12977774
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SIHFU310-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251AA
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
742-SIHFU310-GE3TR-DG
742-SIHFU310-GE3DKRINACTIVE
742-SIHFU310-GE3TR
742-SIHFU310-GE3CT-DG
742-SIHFU310-GE3
742-SIHFU310-GE3CT
742-SIHFU310-GE3CTINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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