SIDR402DP-T1-RE3
Hersteller Produktnummer:

SIDR402DP-T1-RE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIDR402DP-T1-RE3-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

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SIDR402DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
64.6A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9100 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIDR402DP

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIDR402DP-T1-RE3CT
742-SIDR402DP-T1-RE3TR
742-SIDR402DP-T1-RE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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