Hersteller Produktnummer:
SIHP25N50E-BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHP25N50E-BE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 500V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
2989 Stück Neu Original Auf Lager
12977906
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SIHP25N50E-BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1980 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
742-SIHP25N50E-BE3TR-DG
742-SIHP25N50E-BE3DKR-DG
742-SIHP25N50E-BE3CT-DG
742-SIHP25N50E-BE3TR
742-SIHP25N50E-BE3DKRINACTIVE
742-SIHP25N50E-BE3
742-SIHP25N50E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP25N50E-BE3CT
742-SIHP25N50E-BE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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