Hersteller Produktnummer:
SIHB12N60E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHB12N60E-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12787407
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SIHB12N60E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
937 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHB12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SIHB12N60EGE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB13NM60N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1000
TEILNUMMER
STB13NM60N-DG
Einheitspreis
2.21
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STB13N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2210
TEILNUMMER
STB13N60M2-DG
Einheitspreis
0.86
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SPB11N60C3ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2703
TEILNUMMER
SPB11N60C3ATMA1-DG
Einheitspreis
1.53
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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