Hersteller Produktnummer:
SIHB120N60E-T5-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHB120N60E-T5-GE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 600V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
795 Stück Neu Original Auf Lager
12977873
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SIHB120N60E-T5-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1562 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
179W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
742-SIHB120N60E-T5-GE3TR
742-SIHB120N60E-T5-GE3DKR
742-SIHB120N60E-T5-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHB120N60E-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
760
TEILNUMMER
SIHB120N60E-T1-GE3-DG
Einheitspreis
2.23
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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