SQJ474EP-T1_BE3
Hersteller Produktnummer:

SQJ474EP-T1_BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQJ474EP-T1_BE3-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

6000 Stück Neu Original Auf Lager
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SQJ474EP-T1_BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SQJ474EP

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQJ474EP-T1_BE3DKR
742-SQJ474EP-T1_BE3TR
742-SQJ474EP-T1_BE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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