SIHB10N40D-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHB10N40D-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHB10N40D-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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12787055
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SIHB10N40D-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
526 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHB10

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIHB10N40D-GE3
HTML-Datenblatt
SIHB10N40D-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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