Hersteller Produktnummer:
SUD50N03-16P-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SUD50N03-16P-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 37A (Tc) 6.5W (Ta), 40.8W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12787059
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SUD50N03-16P-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SUD50
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRLR8726TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
43252
TEILNUMMER
IRLR8726TRPBF-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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