Hersteller Produktnummer:
SIHA22N60AE-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHA22N60AE-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
12966419
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SIHA22N60AE-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1451 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
SIHA22
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPA60R170CFD7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
255
TEILNUMMER
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
Einheitspreis
1.29
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPAW60R180P7SXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
451
TEILNUMMER
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
Einheitspreis
0.69
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FCPF190N60
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
800
TEILNUMMER
FCPF190N60-DG
Einheitspreis
1.60
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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