Hersteller Produktnummer:
IPAW60R180P7SXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventar:
451 Stück Neu Original Auf Lager
13063919
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IPAW60R180P7SXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P7
Verpackung
Tube
Status des Teils
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
26W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IPAW60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
45
Andere Namen
IPAW60R180P7SXKSA1-ND
SP001606072
448-IPAW60R180P7SXKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STFU28N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
215
TEILNUMMER
STFU28N65M2-DG
Einheitspreis
1.41
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPA60R180P7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
484
TEILNUMMER
IPA60R180P7XKSA1-DG
Einheitspreis
1.07
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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