Hersteller Produktnummer:
SIE868DF-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIE868DF-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventar:
12919857
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIE868DF-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6100 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
10-PolarPAK® (L)
Paket / Koffer
10-PolarPAK® (L)
Basis-Produktnummer
SIE868
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIE868DFT1GE3
SIE868DF-T1-GE3CT
SIE868DF-T1-GE3DKR
SIE868DF-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIR800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIB800EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6
SIA810DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
