Hersteller Produktnummer:
SIB800EDK-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIB800EDK-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1.5A (Tc) 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventar:
12919859
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SIB800EDK-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
LITTLE FOOT®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta), 3.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-75-6
Basis-Produktnummer
SIB800
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIB800EDK-T1-GE3TR
SIB800EDK-T1-GE3CT
SIB800EDKT1GE3
SIB800EDK-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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