Hersteller Produktnummer:
SIDR578EP-T1-RE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIDR578EP-T1-RE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 17.4A (Ta), 78A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventar:
12981546
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIDR578EP-T1-RE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen V
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.4A (Ta), 78A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2540 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
7.5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIDR578
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIDR578EP-T1-RE3CT
742-SIDR578EP-T1-RE3DKR
742-SIDR578EP-T1-RE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IAUC100N04S6L014ATMA1
IAUC100N04S6L014ATMA1
IPB80P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
BUK7E3R5-60E,127
TRANSISTOR >30MHZ
