Hersteller Produktnummer:
IPB80P03P4L04ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB80P03P4L04ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
7529 Stück Neu Original Auf Lager
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IPB80P03P4L04ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS®-P2
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 253µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
137W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB80P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IPB80P03P4L04ATMA2DKR
SP002325736
448-IPB80P03P4L04ATMA2TR
448-IPB80P03P4L04ATMA2CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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