Hersteller Produktnummer:
SIHA6N65E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHA6N65E-GE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 650V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
12977782
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Menge
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SIHA6N65E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
742-SIHA6N65E-GE3CT
742-SIHA6N65E-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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