Hersteller Produktnummer:
SIB912DK-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIB912DK-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC75-6L
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
Inventar:
66112 Stück Neu Original Auf Lager
12917143
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SIB912DK-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
216mOhm @ 1.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
95pF @ 10V
Leistung - Max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Basis-Produktnummer
SIB912
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIB912DKT1GE3
SIB912DK-T1-GE3DKR
SIB912DK-T1-GE3CT
SIB912DK-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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