SIA910EDJ-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIA910EDJ-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIA910EDJ-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventar:

2096 Stück Neu Original Auf Lager
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SIA910EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
455pF @ 6V
Leistung - Max
7.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Produktnummer
SIA910

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA910EDJ-T1-GE3DKR
SIA910EDJ-T1-GE3CT
SIA910EDJ-T1-GE3TR
SIA910EDJT1GE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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