SI3983DV-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI3983DV-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI3983DV-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP

Inventar:

12964449
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SI3983DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
830mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
SI3983

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FDC6310P
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
7945
TEILNUMMER
FDC6310P-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDC6312P
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
7879
TEILNUMMER
FDC6312P-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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