Hersteller Produktnummer:
SIA456DJ-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIA456DJ-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
13305 Stück Neu Original Auf Lager
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SIA456DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer
SIA456
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA456DJ-T1-GE3DKR
SIA456DJT1GE3
SIA456DJ-T1-GE3CT
SIA456DJ-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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