Hersteller Produktnummer:
SI7430DP-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7430DP-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
368 Stück Neu Original Auf Lager
12913548
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SI7430DP-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1735 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7430
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7430DP-T1-E3TR
SI7430DPT1E3
SI7430DP-T1-E3DKR
SI7430DP-T1-E3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI7430DP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
6014
TEILNUMMER
SI7430DP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
1.22
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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