Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SIA439EDJ-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIA439EDJ-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 28A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12920185
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIA439EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2410 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer
SIA439
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIA439EDJ-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIA439EDJ-T1-GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA439EDJ-T1-GE3TR
SIA439EDJ-T1-GE3CT
SIA439EDJ-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMP2021UFDF-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMP2021UFDF-13-DG
Einheitspreis
0.23
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SIA445EDJ-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
619
TEILNUMMER
SIA445EDJ-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMP2021UFDF-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
53414
TEILNUMMER
DMP2021UFDF-7-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIHG30N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
SIR662DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
PMBF170,235
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB