SIA431DJ-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIA431DJ-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIA431DJ-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventar:

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SIA431DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
850mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1700 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer
SIA431

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA431DJ-T1-GE3TR
SIA431DJ-T1-GE3DKR
SIA431DJ-T1-GE3CT
SIA431DJT1GE3
SIA431DJ-T1-GE3-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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